01117naa#a2200169#i#450# RU\\bibl\16216 20260320004732.5 20250915b2025####ek#y0rusy0150####ca RU Исследование влияния технологических режимов создания “field-stop” слоя на характеристики SPT-IGBT Статья/тезисы конференции Москва Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 2025 5 с. Статья/тезисы конференции local Транзисторы с более чем двумя p-n-переходами. 621.382.333.34 Абрашин Павел Сергеевич Красюков Антон Юрьевич mminfo.editorum.ru