01117naa#a2200169#i#4500001001500000005001700015100004100032102000700073200022600080210035000306215001000656608006000666675010000726700005000826700004800876856002300924RU\\bibl\1621620260322001806.7##a20250915b2025####ek#y0rusy0150####ca##aRU1#aИсследование влияния технологических режимов создания “field-stop” слоя на характеристики SPT-IGBTeСтатья/тезисы конференции1#aМоскваcФедеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"d2025##a5 с.##aСтатья/тезисы конференции2local##aТранзисторы с более чем двумя p-n-переходами. 621.382.333.34#1aАбрашинgПавел Сергеевич#1aКрасюковgАнтон Юрьевич4#amminfo.editorum.ru