LDR 01117naa#a2200169#i#450#
001     RU\\bibl\16216
005     20260319230500.4
100 ## _a20250915b2025####ek#y0rusy0150####ca
102 ## _aRU
200 1# _aИсследование влияния технологических режимов создания “field-stop” слоя на характеристики SPT-IGBT
       _eСтатья/тезисы конференции
210 1# _aМосква
       _cФедеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
       _d2025
215 ## _a5 с.
608 ## _aСтатья/тезисы конференции
       _2local
675 ## _aТранзисторы с более чем двумя p-n-переходами. 621.382.333.34
       _z
700 #1 _aАбрашин
       _gПавел Сергеевич
700 #1 _aКрасюков
       _gАнтон Юрьевич
856 4# _amminfo.editorum.ru
       _u