%0 Conference Article
%T Исследование влияния технологических режимов создания “field-stop” слоя на характеристики SPT-IGBT
%A Абрашин, П.С.
%A Красюков, А.Ю.
%K SPT-IGBT. field-stop слой, потери при включении и выключении, лазерный отжиг, MLA, высокоэнергетическое легирование, Sentaurus TCAD
%J Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых учёных «МИКРОЭЛЕКТРОНИКА и ИНФОРМАТИКА-2025», с международным участием
%D 2026
%P 5
%I Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования Национальный исследовательский университет &quot;Московский институт электронной техники&quot;